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Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Factor de forma: M.2 (2280)
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-TLC
Controlador: Controlador de Samsung
Capacidad: 1TB
Velocidad de lectura/escritura secuencial: Hasta 5,000 MB/s, Hasta 4,200 MB/s
Velocidad de lectura/escritura aleatoria (QD32): Hasta 680.000 IOPS, 800.000 IOPS
Software de gestión: Samsung Magician Software
Encriptación de datos: Cifrado de disco completo AES de 256 bits, TCG/Opal V2.0, Unidad cifrada (IEEE1667)
Bytes totales escritos600TB
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Garantía 3 años
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